| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| GB/T 32872-2016 |
空间科学照明用LED筛选规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2016-11-01 |
现行 |
| GB/T 37660-2019 |
柔性直流输电用电力电子器件技术规范 |
国家市场监督管理总局.
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2020-01-01 |
现行 |
| GB/T 4023-1997 |
半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 |
国家技术监督局
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1998-09-01 |
作废 |
| GB/T 4023-2015 |
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 |
国家质量监督检验检疫.
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2017-01-01 |
现行 |
| GB/T 41852-2022 |
半导体器件 微机电器件 MEMS结构黏结强度的弯曲和剪切试验方法 |
国家市场监督管理总局.
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2022-10-12 |
现行 |
| GB/T 41853-2022 |
半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量 |
国家市场监督管理总局.
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2022-10-12 |
现行 |
| GB/T 42191-2023 |
MEMS压阻式压力敏感器件性能试验方法 |
国家市场监督管理总局.
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2023-09-01 |
现行 |
| GB/T 42706.5-2023 |
电子元器件 半导体器件长期贮存 第5部分：芯片和晶圆 |
国家市场监督管理总局.
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2023-09-01 |
现行 |
| GB/T 43493.1-2023 |
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 |
国家市场监督管理总局.
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2024-07-01 |
现行 |
| GB/T 43493.2-2023 |
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 |
国家市场监督管理总局.
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2024-07-01 |
现行 |
| GB/T 43493.3-2023 |
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 |
国家市场监督管理总局.
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2024-07-01 |
现行 |
| GB/T 44513-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法 |
国家市场监督管理总局.
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2025-01-01 |
现行 |
| GB/T 44514-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 层状MEMS材料界面黏附能四点弯曲试验方法 |
国家市场监督管理总局.
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2024-09-29 |
现行 |
| GB/T 44515-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 MEMS压电薄膜机电转换特性测量方法 |
国家市场监督管理总局.
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2025-01-01 |
现行 |
| GB/T 44517-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 MEMS膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法 |
国家市场监督管理总局.
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2025-04-01 |
现行 |
| GB/T 44529-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 射频MEMS环行器和隔离器 |
国家市场监督管理总局.
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2024-09-29 |
现行 |
| GB/T 44531-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 基于MEMS技术的车规级压力传感器技术规范 |
国家市场监督管理总局.
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2024-09-29 |
现行 |
| GB/T 44635-2024 |
静电放电敏感度试验 传输线脉冲 器件级 |
国家市场监督管理总局.
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2024-09-29 |
现行 |
| GB/T 44839-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 MEMS材料微柱压缩试验方法 |
国家市场监督管理总局.
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2025-02-01 |
现行 |
| GB/T 44842-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 薄膜材料的弯曲试验方法 |
国家市场监督管理总局.
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2024-10-26 |
现行 |
| GB/T 44849-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 金属膜材料成形极限测量方法 |
国家市场监督管理总局.
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2025-05-01 |
现行 |
| GB/T 44919-2024 |
微机电系统（MEMS）技术 薄膜力学性能的鼓胀试验方法 |
国家市场监督管理总局.
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2024-11-28 |
现行 |
| GB/T 45716-2025 |
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 |
国家市场监督管理总局.
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2025-09-01 |
现行 |
| GB/T 45719-2025 |
半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 |
国家市场监督管理总局.
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2025-09-01 |
现行 |
| GB/T 45720-2025 |
半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 |
国家市场监督管理总局.
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2025-09-01 |
现行 |
| GB/T 45721.1-2025 |
半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验 |
国家市场监督管理总局.
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2025-09-01 |
现行 |
| GB/T 45722-2025 |
半导体器件 恒流电迁移试验 |
国家市场监督管理总局.
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2025-09-01 |
现行 |
| GB/T 4586-1994 |
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 |
国家技术监督局
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1995-08-01 |
现行 |
| GB/T 4587-1994 |
半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 |
国家质量监督检验检疫.
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1995-08-01 |
作废 |
| GB/T 4587-2023 |
半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管 |
国家市场监督管理总局.
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2024-04-01 |
现行 |
| GB/T 4589.1-1989 |
半导体器件 分立器件和集成电路总规范(可供认证用) |
信息产业部（电子）
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1990-01-01 |
作废 |
| GB/T 4589.1-2006 |
半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2007-02-01 |
现行 |
| GB/T 46567.1-2025 |
智能计算 忆阻器测试方法 第1部分：基础特性 |
国家市场监督管理总局.
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2025-10-31 |
现行 |
| GB/T 46717-2025 |
半导体器件 金属化空洞应力试验 |
国家市场监督管理总局.
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2026-05-01 |
现行 |
| GB/T 46788-2025 |
半导体器件表面镀涂锡和锡合金上的锡须的环境接收要求 |
国家市场监督管理总局.
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2026-07-01 |
即将实施 |
| GB/T 46789-2025 |
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 |
国家市场监督管理总局.
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2026-07-01 |
即将实施 |
| GB/T 46809.1-2025 |
半导体器件 第19-1部分：智能传感器 智能传感器的控制方案 |
国家市场监督管理总局.
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2026-07-01 |
即将实施 |
| GB/T 4937-1995 |
半导体器件机械和气候试验方法 |
国家技术监督局
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1996-08-01 |
作废 |
| GB/T 4937.1-2006 |
半导体器件 机械和气候试验 第1部分:总则 |
国家质量监督检验检疫.
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2007-02-01 |
现行 |
| GB/T 4937.10-2025 |
半导体器件 机械和气候试验方法 第10部分：机械冲击 器件和组件 |
国家市场监督管理总局.
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2026-07-01 |
即将实施 |