半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
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| 标准编号：GB/T 29332-2012 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：86.0 元 |
客户评分：  |
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本标准给出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。 |
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| 英文名称： |
Semiconductor devices—Discrete devices—Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBT) |
 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管 |
| ICS分类： |
31.080.01;31.080.30 |
| 采标情况： |
IEC 60747-9:2007,IDT |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2012-12-31 |
| 实施日期： |
2013-06-01
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| 提出单位： |
中华人民共和国工业和信息化部 |
| 归口单位： |
全国半导体器件标准化技术委员会 |
| 主管部门： |
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78) |
| 起草单位： |
西安电力电子技术研究所、西安爱帕克电力电子有限公司、英飞凌科技(中国)有限公司、威海新佳电子有限公司、江苏宏微科技有限公司 |
| 起草人： |
蔚红旗、张立、陈子颖、乜连波、王晓宝、秦贤满 |
| 页数： |
56页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 书号： |
155066·1-46864 |
| 出版日期： |
2013-06-01 |
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《半导体器件 分立器件》系列国家标准的预计结构如下:
———第1部分:总则(GB/T17573—1998,idtIEC60747-1:1983);
———第2部分:整流二极管(GB/T4023—1997,eqvIEC60747-2:1983及其修正案1:1992和修正案2:1993);
———第3部分:信号(包括开关)和调整二极管(GB/T6571—1995,idtIEC60747-3:1985);
———第4部分:微波器件(GB/T20516—2006,IEC60747-4:2001,IDT);
———第5-1部分:光电子器件 总则(IEC60747-5-1:2002);
———第6部分:晶闸管(GB/T15291—1994,eqvIEC60747-6:1983及其修正案1:1991);
———第7部分:双极型晶体管(GB/T4587—1994,idtIEC60747-7:1988);
———第8部分:场效应晶体管(GB/T4586—1994,idtIEC60747-8:1984);
———第9部分:绝缘栅双极晶体管(IEC60747-9:2007);
———第10部分:分立器件和集成电路总规范(GB/T4589.1—2006,IEC60747-10:1991,IDT);
———第11部分:分立器件分规范(GB/T12560—1999,idtIEC60747-11:1985);
———第14-1部分:半导体传感器 总则和分类(GB/T20521—2006,IEC60747-14-1:2000,IDT);
———第15部分:绝缘功率半导体器件(IEC60747-15:2010);
———第17部分:基本绝缘和加强绝缘的磁性和电容性耦合(IEC/PAS60747-17:2011)。
本标准为《半导体器件 分立器件》系列国家标准的第9部分。
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准使用翻译法等同采用IEC60747-9:2007《半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶
体管》。
与本标准中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下:
———GB/T4023—1997 半导体器件 分立器件和集成电路 第2 部分:整流二极管
(eqvIEC60747-2:1983及其修正案1:1992和修正案2:1993)
———GB/T15291—1994 半导体器件 第6部分:晶闸管(eqvIEC60747-6:1983及其修正案1:1991)
———GB/T17573—1998 半导体器件 第1部分:总则(idtIEC60747-1:1983)
本标准做了下列编辑性修改和勘误:
———3.2.5、3.2.6和3.2.7三条术语的定义中,在文字“……端”后面增加“(电极)”二字;
———结温的文字符号Tvj统一为Tj;
———栅极-发射极电压的第二个下标统一为“E”;
———“规定条件”中,温度条件的位置统一为列项1;
———为突出被测(受试)器件,相应的IGBT用被测(受试)器件的英文缩略语DUT代替;
———6.3.1.7中,补充了遗漏的电压文字符号VCEXsus;
———在6.3.6.3中增加如下说明:
“其中,yie———小信号共发射极短路输入导纳;
yoe———小信号共发射极短路输出导纳”;
———6.3.6.5、6.3.7.5和6.3.8.5中,补充了测量频率的文字符号f;
———6.3.10.3中,“|yie|.ωC1”更正为“ωC1.|yie|”,“|yos|.ωC2”更正为“ωC2.|yoe|”;
GB/T29332—2012/IEC60747-9:2007
———图30图题中的“IC2”更正为“IC1”;
———A.4中,列项2下面的三个列项按二级列项处理。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本标准起草单位:西安电力电子技术研究所、西安爱帕克电力电子有限公司、英飞凌科技(中国)有限公司、威海新佳电子有限公司、江苏宏微科技有限公司。
本标准主要起草人:蔚红旗、张立、陈子颖、乜连波、王晓宝、秦贤满。 |
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前言 Ⅴ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
3.1 IGBT的图形符号 1
3.2 一般术语 1
3.3 额定值和特性的术语 电压和电流 2
3.4 额定值和特性的术语 其他特性 4
4 文字符号 6
4.1 通则 6
4.2 补充的通用下标 6
4.3 文字符号 6
5 基本额定值和特性 7
5.1 额定值(极限值) 7
5.2 特性 8
6 测试方法 10
6.1 通则 10
6.2 额定值(极限值)试验 11
6.3 测量方法 19
7 接收和可靠性 34
7.1 一般要求 34
7.2 特殊要求 34
7.3 型式试验和例行试验 37
附录A (规范性附录) 集电极-发射极击穿电压试验方法 39
附录B(规范性附录) 在规定条件下,电感性负载关断电流试验方法 41
附录C(规范性附录) 正偏安全工作区FBSOA 43
附录D(规范性附录) 管壳不破裂 47
参考文献 48
图1 集电极-发射极电压VCES、VCER、VCEX试验电路 11
图2 栅极-发射极电压±VGES试验电路 12
图3 集电极电流试验电路 13
图4 集电极峰值电流试验电路 14
图5 反偏安全工作区(RBSOA)试验电路 14
GB/T29332-2012/IEC60747-9:2007
图6 关断期间的栅极-发射极电压VGE和集电极电流IC 波形 15
图7 负载短路(SCSOA1)时,安全工作脉冲宽度试验电路 16
图8 负载短路(SCSOA1)期间的栅极-发射极电压VGE、集电极电流IC 和集电极电压VCE波形 16
图9 短路安全工作区2(SCSOA2)试验电路 17
图10 SCSOA2期间的波形 18
图11 集电极-发射极维持电压VCE*sus测量电路 19
图12 集电极电流的运行轨迹 20
图13 集电极-发射极饱和电压VCEsat测量电路 21
图14 栅极-发射极阈值电压基本测量电路 21
图15 集电极截止电流测量电路 22
图16 栅极漏电流测量电路 23
图17 输入电容测量电路 24
图18 输出电容测量电路 25
图19 反向传输电容测量电路 26
图20 栅极电荷测量电路 26
图21 栅极电荷基本波形 27
图22 短路栅极内阻测量电路 28
图23 开通期间的各时间间隔和开通能量测量电路 29
图24 开通期间的电流、电压波形 29
图25 关断期间的各时间间隔和关断能量测量电路 30
图26 关断期间的电流、电压波形 30
图27 小测量电流IC1下VCE随温度变化和大电流IC2加热被测器件DUT的测量电路 31
图28 小测量电流IC1下VCE随管壳温度Tc(外加热,即Tc=Tj时)的典型变化 32
图29 热阻和瞬态热阻抗测量电路(方法2) 33
图30 小测量电流IC1下VGE(th)随管壳温度Tc(外加热,即Tc=Tj时)的典型变化 33
图31 IC、VGE和Tc 与时间的关系 34
图32 高温阻断试验电路 35
图33 高温栅极偏置试验电路 36
图34 间歇工作寿命试验电路 36
图35 期望循环次数与温升ΔTj的关系 37
图A.1 集电极-发射极击穿电压试验电路 39
图B.1 电感性负载关断电流试验电路 41
图B.2 关断期间,集电极电流IC 和集电极电压VCE波形 41
图C.1 FBSOA试验电路(方法1) 43
图C.2 ΔVCE与集电极-发射极电压VCE的典型特性 44
图C.3 典型FBSOA 44
图C.4 FBSOA试验电路(方法2) 45
GB/T29332-2012/IEC60747-9:2007
图C.5 闭锁模式运行波形 45
图C.6 闭锁模式伏安特性 45
表1 接收判定特性 11
表2 耐久性和可靠性试验接收判定特性 35
表3 最少的型式试验和例行试验项目(适用时) 37 |
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下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
IEC60747-1:2006 半导体器件 第1部分:总则(Semiconductordevices—Part1:General)
IEC60747-2 半导体器件 分立器件和集成电路 第2 部分:整流二极管(Semiconductor
devices—Discretedevicesandintegratedcircuits—Part2:Rectifierdiodes)
IEC60747-6 半导体器件 第6部分:晶闸管(Semiconductordevices—Part6:Thyristors)
IEC61340(所有部分) 静电(Electrostatics) |
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