非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 |
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标准编号:GB/T 4326-1984 |
标准状态:已作废 |
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标准价格:12.0 元 |
客户评分: |
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本标准适用于在非本征半导体单晶试样中确定载流子霍尔迁移率。为获得霍尔迁移率必须测量电阻率和霍尔系数,因此本标准也分别适用于这些参数的测量。本方法仅在有限的范围内和对锗、硅和砷化镓进行了实验室测量,但该方法也可适用于其他半导体单晶材料。所述的测量技术至少适用于室温电阻率高达104Ωcm的试样。 |
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英文名称: |
Extrinsic semiconductor single crystals; Measurement of Hall mobility and Hall coefficient |
标准状态: |
已作废 |
替代情况: |
被GB/T 4326-2006代替 |
中标分类: |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法 |
ICS分类: |
29.040.30 |
UDC分类: |
621.315.592;621.317.3 |
发布部门: |
国家标准局 |
发布日期: |
1984-04-12 |
实施日期: |
1985-03-01
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作废日期: |
2006-11-01
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首发日期: |
1984-04-12 |
复审日期: |
2004-10-14 |
归口单位: |
中国有色金属工业协会 |
主管部门: |
中国有色金属工业协会 |
起草单位: |
有色金属研究总院 |
页数: |
11页 |
标准前页: |
浏览标准前文 || 下载标准前页 |
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