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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFE阈值电压测试方法

国家标准
标准编号:T/CASAS 021-2024 标准状态:现行
标准价格:38.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)阈值电压测试方法。
本文件适用于N沟道SiCMOSFET晶圆、芯片及封装产品的测试。
英文名称:  Threshold voltage test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistor(SiC MOSFETs)
什么是中标分类? 中标分类:  >>电子元器件与信息技术>>L40/49半导体分立器件
什么是ICS分类?  ICS分类:  电子学>>31.080半导体器件
发布部门:  北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
发布日期:  2024-11-19
实施日期:  2024-11-19
提出单位:  北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
什么是归口单位? 归口单位:  北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草单位:  中国电子科技集团第五十五研究所、南京第三代半导体技术创新中心有限公司、扬州国扬电子有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、工业和信息化部电子第五研究所、东南大学、杭州芯迈半导体技术有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、浙江大学、浙江大学绍兴研究院等
起草人:  刘奥、张国斌、柏松、黄润华、杨勇、桂明洋、迟雷、陈媛、徐申、孙钦华、李汝冠、郭清、林氦、王丹丹、孙承志、陈彦锐、何黎、崔潆心、胡惠娜、王来利、裴云庆、韩冰冰、佘超群、刘宗亮、赵高锋、段果、赵海明、姜南、高伟
出版社:  中国标准出版社
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前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟提出并归口。
本文件起草单位:中国电子科技集团第五十五研究所、南京第三代半导体技术创新中心有限公司、扬州国扬电子有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、工业和信息化部电子第五研究所、东南大学、杭州芯迈半导体技术有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、浙江大学、浙江大学绍兴研究院、湖北九峰山实验室、是德科技(中国)有限公司、博测锐创半导体科技(苏州)有限公司、北京励芯泰思特测试技术有限公司、山东大学、泰科天润半导体科技(北京)有限公司、西安交通大学、朝阳微电子科技股份有限公司、山东阅芯电子科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、厦门华联半导体科技有限公司、芯合半导体(合肥)有限公司、广东能芯半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
本文件主要起草人:刘奥、张国斌、柏松、黄润华、杨勇、桂明洋、迟雷、陈媛、徐申、孙钦华、李汝冠、郭清、林氦、王丹丹、孙承志,陈彦锐、何黎,崔潆心,胡惠娜、王来利、裴云庆、韩冰冰,余超群、刘宗亮、赵高锋、段果、赵海明、姜南、高伟。

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