|
| 英文名称： |
Dynamic reverse bias (DRB) test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor filed effect transistors (SiC MOSFET) |
 中标分类： |
>>电子元器件与信息技术>>L40/49半导体分立器件 |
| ICS分类： |
电子学>>31.080半导体器件 |
| 发布部门： |
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 发布日期： |
2024-11-19 |
| 实施日期： |
2024-11-19
|
| 提出单位： |
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 归口单位： |
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 |
| 起草单位： |
工业和信息化部电子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、中国科学院电工研究所、比亚迪半导体股份有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司、复旦大学宁波研究院、东风汽车集团有限公司、湖北九峰山实验室、深圳市禾望电气股份有限公司、杭州芯迈半导体技术有限公司等 |
| 起草人： |
陈媛、何亮、施宜军、毛赛君、陈兴欢、赵鹏、王宏跃、蔡宗棋、张瑾、吴海平、孙博韬、丁琪超、左元慧、张俊然、李钾、王民、王丹丹、谢峰、闵晨、杨霏、刘昌、朱占山、张诗梦、李汝冠、王来利、张彤宇、王铁羊、刘陆川、胡浩林、李炜鸿、赵高锋、李本亮、高伟 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |