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| 英文名称： |
Test method for excess-charge-carrier recombination lifetime in silicon ingots,silicon bricks and silicon wafers—Noncontact eddy-current sensor |
 中标分类： |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： |
冶金>>77.040金属材料试验 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2023-08-06 |
| 实施日期： |
2024-03-01
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| 提出单位： |
全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： |
TCL中环新能源科技股份有限公司、弘元新材料(包头)有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、内蒙古中环晶体材料有限公司、四川永祥光伏科技有限公司 |
| 起草人： |
张雪囡、王林、王建平、李向宇、杨阳、邓浩、刘文明、赵子龙、郭红强、张石晶、潘金平、李寿琴、赵军 |
| 页数： |
20页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |