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英文名称: |
Test method for measuring resistivity of silicon wafers using spreading resistance probe |
标准状态: |
已作废 |
替代情况: |
替代GB 6617-1986;被GB/T 6617-2009代替 |
中标分类: |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法 |
ICS分类: |
29.040.30 |
UDC分类: |
669.782-415;317.33 |
采标情况: |
=ASTM F525-88 |
发布部门: |
国家技术监督局 |
发布日期: |
1995-04-18 |
实施日期: |
1995-01-02
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作废日期: |
2010-06-01
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首发日期: |
1986-07-26 |
复审日期: |
2004-10-14 |
归口单位: |
全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
主管部门: |
国家标准化管理委员会 |
起草单位: |
电子部标准化所 |
页数: |
平装16开, 页数:8, 字数:12千字 |
出版社: |
中国标准出版社 |
标准前页: |
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