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| 英文名称： |
Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for high power bipolar transistors |
| 标准状态： |
即将实施 |
 替代情况： |
替代GB/T 7576-1998;GB/T 7577-1996 |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合 |
| ICS分类： |
电子学>>半导体器件>>31.080.30三极管 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2026-03-31 |
| 实施日期： |
2026-10-01
即将实施 距离实施日期还有139天 |
| 提出单位： |
中华人民共和国工业和信息化部 |
| 归口单位： |
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78) |
| 起草单位： |
中国电子技术标准化研究院、工业和信息化部电子第五研究所、济南晶恒电子有限责任公司、西安环宇芯微电子有限公司、国家国防科技工业局军工项目审核中心、深圳市麦思浦半导体有限公司、青岛佳恩半导体有限公司、深圳市信展通电子股份有限公司 |
| 起草人： |
曹赞、周圣泽、孙明、闫美存、侯秀萍、卞岩、戴俊夫、田燕春、王辉、王丕龙、周刚 |
| 页数： |
20页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |