|
| 英文名称： |
Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for low power bipolar transistors |
| 标准状态： |
即将实施 |
 替代情况： |
替代GB/T 6217-1998;GB/T 6218-1996 |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L42半导体三极管 |
| ICS分类： |
电子学>>半导体器件>>31.080.30三极管 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2026-03-31 |
| 实施日期： |
2026-10-01
即将实施 距离实施日期还有139天 |
| 提出单位： |
中华人民共和国工业和信息化部 |
| 归口单位： |
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78) |
| 起草单位： |
济南晶恒电子有限责任公司、北京中科新微特科技开发股份有限公司、辽宁芯诺电子科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、朝阳微电子科技股份有限公司 |
| 起草人： |
侯秀萍、卞岩、侯杰、崔同、陶红玉、张彦飞、温霄霞、刘梦新、康婷婷、张金稳、张秋、韩冰冰 |
| 页数： |
20页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |