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| 英文名称： |
Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials |
 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： |
电气工程>>29.045半导体材料 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2023-12-28 |
| 实施日期： |
2024-07-01
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| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： |
广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、山东天岳先进科技股份有限公司、河北同光半导体股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司等 |
| 起草人： |
丁雄杰、刘薇、韩景瑞、贺东江、李素青、丁晓民、张红、李焕婷、张红岩、杨昆、李斌、尹浩田、高伟、路亚娟、佘宗静、王阳、钮应喜、晏阳、姚康、金向军、吴殿瑞、李国鹏、张新峰、赵丽丽、张胜涛、夏秋良、李国平 |
| 页数： |
52页【彩图】 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |