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| 英文名称： |
Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption |
 替代情况： |
替代GB/T 1557-2006 |
| 中标分类： |
冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法 |
| ICS分类： |
冶金>>77.040金属材料试验 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2018-09-17 |
| 实施日期： |
2019-06-01
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| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 主管部门： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/T |
| 起草单位： |
新特能源股份有限公司、有研半导体材料有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古盾安光伏科技有限公司、峨嵋半导体材料研究所、北京合能阳光新能源技术有限公司 |
| 起草人： |
银波、夏进京、邱艳梅、刘国霞、柴欢、赵晶晶、刘文明、姚利忠、王海礼、邓浩、?高明?、郑连基、陈赫、石宇、杨旭、肖宗杰 |
| 页数： |
12页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2018-09-01 |