|
| 英文名称： |
Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique |
 替代情况： |
替代GB/T 14142-1993 |
| 中标分类： |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H25金属化学性能试验方法 |
| ICS分类： |
冶金>>77.040金属材料试验 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2017-09-29 |
| 实施日期： |
2018-04-01
|
| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 主管部门： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员 |
| 起草单位： |
南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司 |
| 起草人： |
马林宝、骆红、杨帆、刘小青、陈赫、张海英 |
| 页数： |
12页【彩图】 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2017-10-01 |