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硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法

国家标准
标准编号:GB/T 14142-2017 标准状态:现行
标准价格:23.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准规定了用化学腐蚀显示,并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验,硅外延层厚度大于2 μm,缺陷密度的测试范围0~10 000 cm-2?。
英文名称:  Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
什么是替代情况? 替代情况:  替代GB/T 14142-1993
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>金属理化性能试验方法>>H25金属化学性能试验方法
什么是ICS分类?  ICS分类:  冶金>>77.040金属材料试验
发布部门:  中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:  2017-09-29
实施日期:  2018-04-01
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
主管部门:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员
起草单位:  南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司
起草人:  马林宝、骆红、杨帆、刘小青、陈赫、张海英
页数:  12页【彩图】
出版社:  中国标准出版社
出版日期:  2017-10-01
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