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| 英文名称： |
STANDARD test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes |
| 标准状态： |
已作废 |
 替代情况： |
被GB/T 14863-2013代替 |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L41半导体二极管 |
| ICS分类： |
29.040.30 |
| UDC分类： |
621.38 |
| 发布部门： |
国家技术监督局 |
| 发布日期： |
1993-01-02 |
| 实施日期： |
1994-10-01
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| 作废日期： |
2014-08-15
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| 首发日期： |
1993-12-30 |
| 复审日期： |
2004-10-14 |
| 归口单位： |
信息产业部（电子） |
| 主管部门： |
信息产业部（电子） |
| 起草单位： |
机械电子工业部所和所 |
| 页数： |
平装16开， 页数：12， 字数：19千字 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 标准前页： |
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