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 您的位置:工标网 >> 国家标准(GB) >> GB/T 31351-2014

碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法

国家标准
标准编号:GB/T 31351-2014 标准状态:现行
标准价格:24.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准规定了4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片的微管密度的无损检测方法。
本标准适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量。
英文名称:  Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>金属理化性能试验方法>>H26金属无损检验方法
什么是ICS分类?  ICS分类:  冶金>>金属材料试验>>77.040.99金属材料的其他试验方法
发布部门:  中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:  2014-12-31
实施日期:  2015-09-01
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
主管部门:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/T
起草单位:  北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所
起草人:  陈小龙、郑红军、张玮、郭钰、刘振洲
页数:  8页
出版社:  中国标准出版社
书号:  155066·1-50709
出版日期:  2015-09-01
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前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。
本标准主要起草人:陈小龙、郑红军、张玮、郭钰、刘振洲。

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