GB/T18858《低压开关设备和控制设备 控制器-设备接口》分为以下部分:
———第1部分:总则;
———第2部分:执行器传感器接口(AS-i);
———第3部分:DeviceNet;
———第7部分:CompoNet。
本部分是 GB/T18858的第7部分。
本部分按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本部分与 GB/T18858.1《低压开关设备和控制设备 控制器-设备接口 第1部分:总则》一起使用。
本部分等同采用IEC/PAS62026-7:2009《低压开关设备和控制设备 控制器-设备接口 第7部分:CompoNet》,本部分在技术内容和编写格式上与IEC/PAS62026-7:2009《低压开关设备和控制设备控制器-设备接口 第7部分:CompoNet》一致。
与本标准中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下:
———GB/T5095.1—1997 电子设备用机电元件 基本试验规程及测量方法 第1部分:总则(idtIEC60512-1:1994)
———GB4208—2008 外壳防护等级(IP代码)(IEC60529:2001,IDT)
———GB/T17626.2—2006 电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验(IEC61000-4-2:2001,IDT)
———GB/T17626.3—2006 电 磁 兼 容 试 验 和 测 量 技 术 射 频 电 磁 场 辐 射 抗 扰 度 试 验(IEC61000-4-3:2002,IDT)
———GB/T17626.4—2008 电 磁 兼 容 试 验 和 测 量 技 术 电 快 速 瞬 变 脉 冲 群 抗 扰 度 试 验(IEC61000-4-4:2004,IDT)
———GB/T17626.5—2008 电磁兼容 试验和测量技术 浪涌(冲击)抗扰度试验(IEC61000-4-5:2005,IDT)
———GB/T17626.6—2008 电 磁 兼 容 试 验 和 测 量 技 术 射 频 场 感 应 的 传 导 骚 扰 抗 扰 度(IEC61000-4-6:2006,IDT)
———GB/T15969.2—2008 可编程序控制器 第2部分:设备要求和测试(IEC61131-2:2007,IDT)
———GB/T18858.1—2002 低压开关设备和控制设备 控制器-设备接口(CDI) 第1部分:总则(IEC62026-1:2000,IDT)
———GB/T9387.1—1998 信息技术 开放系统互连 基本参考模型 第1部分:基本模型(idtISO/IEC7498-1:1994)
———GB4824—2013 工业、科学和医疗(ISM)射频设备 骚扰特性 限值和测量方法(CISPR11:2010,IDT)
本部分由中国电器工业协会提出。
本部分由全国低压电器标准化技术委员会(SAC/TC189)归口。
本部分主要起草单位:上海电器科学研究院。
本部分参加起草单位:欧姆龙(上海)有限公司、常熟开关制造有限公司、深圳市泰永科技股份有限公司、苏州电器科学研究所有限公司、上海诺雅克电气有限公司、上海电器设备检测所。
本部分主要起草人:奚培锋、赵芳。
本部分参加起草人:关鹏、邵建国、贺贵兵、何秀明、徐泽亮、邢琳。 |
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