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| 英文名称： |
Detail specification for electronic components-Silicon NPN case rated bipolar transistor for low-frequency amplification for Type 3DD313 |
| 标准状态： |
已废止 |
 替代情况： |
替代GB/T 10272-1988 |
| 中标分类： |
能源、核技术>>能源、核技术综合>>F01技术管理 |
| 发布日期： |
1991-04-08 |
| 实施日期： |
1991-07-01
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| 作废日期： |
2010-01-20
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| 页数： |
9页 |
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